ورود/ثبت نام

وبسایت مهندسی الکترونیک و کامپیوتر

آموزش رباتیک به زبان ساده برای مبتدیان

دسته بندی: جزوات آموزشی
آموزش رباتیک به زبان ساده برای مبتدیان
Mohandes360.ir
14 4 1399

رباتیک گرایشی از رشته های مهندسی از قبیل مهندسی مکانیک، مهندسی برق و چند رشته دیگر است. این علم به طراحی، ساخت، راه اندازی و استفاده از رباتها مربوط می شود. در رباتیک فناوریهایی استفاده می‌شوند تا حرکات ماشین‌ها به گونه‌ای انجام گیرند که عمل خاصی را برای ما انسان ها آسان تر کنند. ربات ها حتی می‌توانند در موقعیت های خطرناکی مانند میدان مین و... استفاده شوند. امروزه انسان ها با تکیه بر هوش و استعداد خود می توانند با کمک ابزار موجود ربات های پیشرفته تری نسبت به گذشته ایجاد کنند. ربات هایی که به نظر می رسد تا چند دهه آینده می توانند جایگزین انسان در بسیاری از مشاغل پرخطر یا مشکل شوند. همچنین با پیشرفت تکنولولوژی هر روز به ساخت ربات های پیشرفته تر و پیچیده تر نزدیک می شویم تا جایی که امروزه در بعضی از کشورها ربات های انسان نمایی ساخته شده اند که برخی قابلیت های انسان مانند صحبت کردن را نیز در خود جای داده اند. با این وجود هنوز تا رسیدن به یک موفقیت بزرگ و ساخت رباتی که بتواند تمام حرکات انسان را تقلید کند فاصله بسیار زیادی باقی مانده است، اما در طول تاریخ بارها خاطر نشان شده است که بالاخره یک روز رباتها خواهند توانست رفتاری کاملاً مشابه انسان‌ها داشته باشند و همه کارها را همانند انسانها انجام دهند.

ادامه مطلب

نویسنده: حمیدرضا ارزبین

راهنمای فعال سازی آموزش سیلواکو

دسته بندی: آموزش نرم افزار
راهنمای فعال سازی آموزش سیلواکو
Mohandes360.ir
14 4 1399

ابتدا آموزش سیلواکو را از لینک زیر دریافت کنید:

لینک دانلود آموزش نرم افزار سیلواکو (Silvaco)

به منظور مشاهده پی دی اف مفید ما، شما باید ثبت نام کنید.

 

چگونه ثبت نام کنیم؟

1. لطفا نام آی دی کامپیوتر خود که به رنگ متن خاکستری است، کپی کرده و به این ایمیل ارسال کنید: 

mohandes360.ir@gmail.com

2. ما برای شما کلید ثبت نام را ارسال می‌کنیم.

3. سپس کلید ثبت نام را کپی کرده یا اینکه در محل مورد نظر نوشته و بر روی OK کلیک کنید. اگر کلید ثبت نام درست باشد می‌توانید از آموزشهای این PDF لذت ببرید.

 

وبسایت ما:

www.mohandes360.ir

www.electron360.ir

www.silvaco.ir

www.silvacosimulation.ir

 

اگر سوالی دارید لطفاً با این ایمیل مکاتبه نمایید:

mohandes360.ir@gmail.com

ادامه مطلب

نویسنده: حمیدرضا ارزبین

ترجمه مقاله A novel lightly doped drain and source Carbon nanotube field effect transistor (CNTFET) with negative differential resistance

دسته بندی: ترجمه مقاله
ترجمه مقاله A novel lightly doped drain and source Carbon nanotube field effect transistor (CNTFET) with negative differential resistance
Mohandes360.ir
14 4 1399

In this paper, we propose and evaluate a novel design of a lightly doped drain and source carbon nanotube field effect transistor (LDDS-CNTFET) with a negative differential resistance (NDR) characteristic, called negative differential resistance LDDS-CNTFET (NDR-LDDS-CNTFET). The device was simulated by using a non equilibrium Green’s function method. To achieve this phenomenon, we have created two quantum wells in the intrinsic channel by using two n-type regions. In the wells that are separated by a thin barrier, two resonance states are generated. On the other hand, the thickness of the barrier between the source and the well is variable depending on the energy level. Accordingly, with increasing gate-source voltage, the number of tunneling electrons and consequently drain-source current are varied. Furthermore, we have presented a structure with two n-type and three p-type regions in the channel that illustrates a larger NDR region. In this structure, the peak and valley of the drain-source current are shifted when compared with the previous structure. Finally, we investigated the effect of doping concentration on the NDR parameter.

ادامه مطلب

نویسنده: حمیدرضا ارزبین

ترجمه مقاله Role of Doping in Carbon Nanotube Transistors With Source/Drain Underlaps

دسته بندی: ترجمه مقاله
ترجمه مقاله Role of Doping in Carbon Nanotube Transistors With Source/Drain Underlaps
Mohandes360.ir
13 4 1399

Abstract - The effects of doping on the performance of coaxially gated carbon nanotube (CNT) field-effect transistors for both zero Schottky-barrier (SB) and doped carbon nanotube contacts are theoretically investigated. For ultrascaled CNTFETs in which the source/drain metal contacts lie 50 nm apart, there is no MOSFET-like contact CNTFET (C-CNTFET) with an acceptable on/off current ratio using a CNT of diameter >= 1.5 nm and a source/drain voltage >= 0.4 V. For CNTFETs with source/drain metal contacts either 50 nm or 100 nm apart, there is an optimal doping concentration of 1e-3 dopants per atom. The maximum on/off current ratios for the 50 nm CNT/5 nm gate and the 100 nm CNT/10 nm gate SB-CNTFETs are 5e4 and 6e5, respectively. Performance metrics of delay time, cutoff frequency, and LC frequency are presented and compared.

ادامه مطلب

نویسنده: حمیدرضا ارزبین

شبیه سازی سلول خورشیدی دو پیوند InGaP/GaAs در سیلواکو

دسته بندی: شبیه سازی با نرم افزار لیزر و اپتیک
شبیه سازی سلول خورشیدی دو پیوند InGaP/GaAs در سیلواکو
Mohandes360.ir
13 4 1399

شرکت سیلواکو (Silvaco) متعلق به بخش خصوصی، ارائه دهنده نرم‌افزار اتوماسیون طراحی الکترونیکی و نرم‌افزار شبیه‌سازی ادوات است.

سیلواکو یک نرم افزار حل عددی معادلات نیمه هادی ها مانند ماسفت ها، ترانزیستور های دو قطبی،دیودها و… می باشد. جوابهای بدست آمده توسط این نرم افزار در مقالات معتبر بسیاری بکار برده شده و می توان گفت در زمینه حل معادلات نیمه هادی ها بی رقیب است. این نرم افزار به مهندسین این امکان را می دهد تا مراحل ساخت قطعات الکترونیکی و همچنین رفتار الکتریکی، نوری، گرمایی قطعات نیمه هادی را شبیه سازی کنند. قابلیت شبیه سازی رفتارهای مختلف پایا، دینامیک زمانی را در دو و سه بعد دارد. همچنین قابلیت شبیه سازی ساختار قطعات الکترونیکی قبل از ساخت آنها در کارخانه را نیز شامل می شود. با شبیه سازی در سطح فیزیک، رفتار الکتریکی افزاره های نیمه هادی را پیش بینی می کند. به عنوان مثال فرایندهای اکسیداسیون، نفوذ، لایه برداری، لایه نشانی و … با استفاده از این نرم افزار شبیه سازی می شود.

ادامه مطلب

نویسنده: حمیدرضا ارزبین