ورود/ثبت نام

وبسایت مهندسی الکترونیک و کامپیوتر

ترجمه مقاله Optimum Design of ARC-less InGaP/GaAs DJ Solar Cell with Hetero Tunnel Junction

دسته بندی: ترجمه مقاله
ترجمه مقاله Optimum Design of ARC-less InGaP/GaAs DJ Solar Cell with Hetero Tunnel Junction
Mohandes360.ir
5 5 1399

The operation of hetero In0.49Ga0.51P–Al0.7Ga0.3As tunnel diodes has been evaluated, and an approach for optimizing the back surface field (BSF) layer of a InGaP/GaAs dual-junction (DJ) solar cell developed. The results show that the hetero In0.49Ga0.51P–Al0.7Ga0.3As tunnel diode transferred more electrons and holes and showed less recombination between the top and bottom cells with increased efficiency (g) in the InGaP/GaAs DJ solar cell. To achieve higher open-circuit voltage (Voc), GaAs semiconductor was investigated to match with Al0.52In0.48P with bandgap of 2.4 eV, and replacement of the bottom cell in the InGaP/GaAs DJ solar cell with such an Al0.52In0.48P–GaAs heterojunction increased the photogeneration in this region. In the next step, addition of a BSF layer to the top cell required two BSF layers in the bottom cell to optimize the short-circuit current (Jsc) and g. The thickness and doping of the BSF layers were increased to obtain the highest g for the cell. The proposed structure was then compared with previous works. The proposed structure yielded Voc = 2.46 V, Jsc = 30 mA/cm2, fill factor (FF) = 88.61%, and n = 65.51% under AM1.5 (1 sun) illumination.

ادامه مطلب

نویسنده: حمیدرضا ارزبین

ترجمه مقاله Investigation of the cutoff frequency of double linear halo lightly doped drain and source CNTFET

دسته بندی: ترجمه مقاله
ترجمه مقاله Investigation of the cutoff frequency of double linear halo lightly doped drain and source CNTFET
Mohandes360.ir
24 4 1399

After discovering the carbon nanotube (CNT) by Aijima, scientific research about this structure are expanded due to its excellent electronic properties. One of the important properties of this structure is quasi-ballistic transport with very high carrier mobility. Using carbon nanotube, two types of field effect transistors have been discussed. The first type is Schottky barrier carbon nanotube field effect transistor (SB-CNTFET) and second type is MOSFET-like CNTFETs (MOSCNTs). The MOSCNT was more favorable because of the high on-off current ratio, but leakage current (IL) of this transistor is very high because of electron band-to-band tunneling (BTBT). In order to deal with this problem, some solutions such as drain and source with a linearly or lightly doped, source and drain extensions and asymmetric oxide thickness, have been proposed. Also, the dual material gate structure and the source and drain parameters effect on the characteristics of CNTFET are investigated. Moreover, the p-type halo implanted deteriorate the cutoff frequency and the switching delay of CNTFET.

ادامه مطلب

نویسنده: حمیدرضا ارزبین

نکات مهم آماده سازی مقالات علمی قبل از ترجمه

دسته بندی: جزوات آموزشی ترجمه مقاله راهنما و حل المسائل
نکات مهم آماده سازی مقالات علمی قبل از ترجمه
Mohandes360.ir
21 4 1399

مطالعه این مطلب آموزشی و توجه دقیق به یکایک نکاتی که در این مطلب بیان شده می تواند نقشی اساسی در تغییر نگارش مقالات فارسی پژوهشگران محترم و نیز اصلاح شیوه های اشتباهشان در ترجمه فارسی به انگلیسی داشته باشد و در مفهوم شدن معنی مورد نظر پژوهشگر و کاهش خطاهای مترجم فارسی به انگلیسی و بعداً ویراستار انگلیسی ژورنال کمک شایانی کند و به روان بودن مقاله انگلیسی نهایی که به ژورنال ارسال می شود کمک کند. مطالعه این مطلب به کسانی که مقاله فارسی می نویسند و پژوهشگرانی که مقالات خود را به انگلیسی نگارش می کنند توصیه می شود.

ادامه مطلب

نویسنده: حمیدرضا ارزبین

ترجمه مقاله Highly efficient ARC less InGaP/GaAs DJ solar cell numerical modeling using optimized InAlGaP BSF layers

دسته بندی: لیزر و اپتیک ترجمه مقاله
ترجمه مقاله Highly efficient ARC less InGaP/GaAs DJ solar cell numerical modeling using optimized InAlGaP BSF layers
Mohandes360.ir
18 4 1399

An effective BSF is a key structural element for an efficient solar cell, either in a multi-junction or in a single-junction device. In this paper, two important materials AlGaAs and InAlGaP with their varied thickness (i.e. 0.05–1.0) μm both for top BSF and bottom BSF cells are investigated using the computational numerical modeling TCAD tool Silvaco ATLAS. It has been found that under the current matching condition with the relatively thinner (30 nm) top BSF layer and the thicker (1,000 nm) bottom BSF layer, the cell exhibit an overall enhancement of short-circuit current density Jsc and open circuit voltage Voc thereby improving the overall efficiency of the cell. 

ادامه مطلب

نویسنده: حمیدرضا ارزبین

توضیحاتی جامع در خصوص سلول های خورشیدی چند پیوندی

دسته بندی: لیزر و اپتیک ترجمه مقاله
توضیحاتی جامع در خصوص سلول های خورشیدی چند پیوندی
Mohandes360.ir
17 4 1399

این پژوهش یک مرور کلی از سلول های خورشیدی و سلول های خورشیدی چند پیوندی را بیان می کند. بخش اول این نوشتار فیزیک پایه و طراحی سلول های خورشیدی تک پیوندی را توصیف می کند. همچنین تاریخچه سلول های خورشیدی و مزایای استفاده از فناوری خورشیدی شرح داده می شوند. بخش دوم این مقاله فیزیک، طراحی و فرایند ساخت سلول های خورشیدی مولتی جانکشن را تشریح می کند. در این بخش روی توضیحات تمرکز شده و برخی از مشکلات بالقوه سلول های خورشیدی مولتی جانکشن توصیف می شوند. در بخش پایانی مقاله استفاده عملی از سلول های خورشیدی مولتی جانکشن و چشم انداز آن برای پیشرفت طراحی های آینده بحث می شود. در این بخش در مورد اینکه سلول های خورشیدی مولتی جانکشن که در حال حاضر وجود دارند و پیشرفت های ممکن آینده آنها بحث می شود. 
 

ادامه مطلب

نویسنده: حمیدرضا ارزبین