ورود/ثبت نام

وبسایت مهندسی الکترونیک و کامپیوتر

نکات مهم آماده سازی مقالات علمی قبل از ترجمه

دسته بندی: جزوات آموزشی ترجمه مقاله راهنما و حل المسائل
نکات مهم آماده سازی مقالات علمی قبل از ترجمه
Mohandes360.ir
21 4 1399

مطالعه این مطلب آموزشی و توجه دقیق به یکایک نکاتی که در این مطلب بیان شده می تواند نقشی اساسی در تغییر نگارش مقالات فارسی پژوهشگران محترم و نیز اصلاح شیوه های اشتباهشان در ترجمه فارسی به انگلیسی داشته باشد و در مفهوم شدن معنی مورد نظر پژوهشگر و کاهش خطاهای مترجم فارسی به انگلیسی و بعداً ویراستار انگلیسی ژورنال کمک شایانی کند و به روان بودن مقاله انگلیسی نهایی که به ژورنال ارسال می شود کمک کند. مطالعه این مطلب به کسانی که مقاله فارسی می نویسند و پژوهشگرانی که مقالات خود را به انگلیسی نگارش می کنند توصیه می شود.

ادامه مطلب

نویسنده: حمیدرضا ارزبین

ترجمه مقاله Highly efficient ARC less InGaP/GaAs DJ solar cell numerical modeling using optimized InAlGaP BSF layers

دسته بندی: لیزر و اپتیک ترجمه مقاله
ترجمه مقاله Highly efficient ARC less InGaP/GaAs DJ solar cell numerical modeling using optimized InAlGaP BSF layers
Mohandes360.ir
18 4 1399

An effective BSF is a key structural element for an efficient solar cell, either in a multi-junction or in a single-junction device. In this paper, two important materials AlGaAs and InAlGaP with their varied thickness (i.e. 0.05–1.0) μm both for top BSF and bottom BSF cells are investigated using the computational numerical modeling TCAD tool Silvaco ATLAS. It has been found that under the current matching condition with the relatively thinner (30 nm) top BSF layer and the thicker (1,000 nm) bottom BSF layer, the cell exhibit an overall enhancement of short-circuit current density Jsc and open circuit voltage Voc thereby improving the overall efficiency of the cell. 

ادامه مطلب

نویسنده: حمیدرضا ارزبین

توضیحاتی جامع در خصوص سلول های خورشیدی چند پیوندی

دسته بندی: لیزر و اپتیک ترجمه مقاله
توضیحاتی جامع در خصوص سلول های خورشیدی چند پیوندی
Mohandes360.ir
17 4 1399

این پژوهش یک مرور کلی از سلول های خورشیدی و سلول های خورشیدی چند پیوندی را بیان می کند. بخش اول این نوشتار فیزیک پایه و طراحی سلول های خورشیدی تک پیوندی را توصیف می کند. همچنین تاریخچه سلول های خورشیدی و مزایای استفاده از فناوری خورشیدی شرح داده می شوند. بخش دوم این مقاله فیزیک، طراحی و فرایند ساخت سلول های خورشیدی مولتی جانکشن را تشریح می کند. در این بخش روی توضیحات تمرکز شده و برخی از مشکلات بالقوه سلول های خورشیدی مولتی جانکشن توصیف می شوند. در بخش پایانی مقاله استفاده عملی از سلول های خورشیدی مولتی جانکشن و چشم انداز آن برای پیشرفت طراحی های آینده بحث می شود. در این بخش در مورد اینکه سلول های خورشیدی مولتی جانکشن که در حال حاضر وجود دارند و پیشرفت های ممکن آینده آنها بحث می شود. 
 

ادامه مطلب

نویسنده: حمیدرضا ارزبین

ترجمه مقاله A novel lightly doped drain and source Carbon nanotube field effect transistor (CNTFET) with negative differential resistance

دسته بندی: ترجمه مقاله
ترجمه مقاله A novel lightly doped drain and source Carbon nanotube field effect transistor (CNTFET) with negative differential resistance
Mohandes360.ir
14 4 1399

In this paper, we propose and evaluate a novel design of a lightly doped drain and source carbon nanotube field effect transistor (LDDS-CNTFET) with a negative differential resistance (NDR) characteristic, called negative differential resistance LDDS-CNTFET (NDR-LDDS-CNTFET). The device was simulated by using a non equilibrium Green’s function method. To achieve this phenomenon, we have created two quantum wells in the intrinsic channel by using two n-type regions. In the wells that are separated by a thin barrier, two resonance states are generated. On the other hand, the thickness of the barrier between the source and the well is variable depending on the energy level. Accordingly, with increasing gate-source voltage, the number of tunneling electrons and consequently drain-source current are varied. Furthermore, we have presented a structure with two n-type and three p-type regions in the channel that illustrates a larger NDR region. In this structure, the peak and valley of the drain-source current are shifted when compared with the previous structure. Finally, we investigated the effect of doping concentration on the NDR parameter.

ادامه مطلب

نویسنده: حمیدرضا ارزبین

ترجمه مقاله Role of Doping in Carbon Nanotube Transistors With Source/Drain Underlaps

دسته بندی: ترجمه مقاله
ترجمه مقاله Role of Doping in Carbon Nanotube Transistors With Source/Drain Underlaps
Mohandes360.ir
13 4 1399

Abstract - The effects of doping on the performance of coaxially gated carbon nanotube (CNT) field-effect transistors for both zero Schottky-barrier (SB) and doped carbon nanotube contacts are theoretically investigated. For ultrascaled CNTFETs in which the source/drain metal contacts lie 50 nm apart, there is no MOSFET-like contact CNTFET (C-CNTFET) with an acceptable on/off current ratio using a CNT of diameter >= 1.5 nm and a source/drain voltage >= 0.4 V. For CNTFETs with source/drain metal contacts either 50 nm or 100 nm apart, there is an optimal doping concentration of 1e-3 dopants per atom. The maximum on/off current ratios for the 50 nm CNT/5 nm gate and the 100 nm CNT/10 nm gate SB-CNTFETs are 5e4 and 6e5, respectively. Performance metrics of delay time, cutoff frequency, and LC frequency are presented and compared.

ادامه مطلب

نویسنده: حمیدرضا ارزبین