کاربر عزیز خوش آمدید!
|

دانلود کتاب شروعی بر برنامه نویسی Ajax

دانلود کتاب شروعی بر برنامه نویسی Ajax

ای جکس (Ajax)، مجموعه‌ای از استانداردها و فناوری‌های وب است که به کمک آنها می‌توان برنامه‌هایی مبتنی بر وب تولید کرد که به آسانی با کاربران تعامل داشته باشند. با استفاده از این فناوریها و با کمک انتقال تکه‌های کوچک داده و اطلاعات از رایانهٔ خادم (Server)، صفحات وب از حالت منفعل خارج می‌شوند و واکنشهایی مناسب با رویدادها انجام می‌دهند. ای‌جکس معماری جدیدی برای برنامه‌های تحت وب است، که با سرعت بسیار زیادی در حال گسترش بوده، و کمتر کاربر اینترنت است که هنوز گذرش به یکی از صفحاتی که با این معماری ساخته شده‌اند نیفتاده، و از قابلیت‌های فوق‌العاده آن بهره‌مند نشده باشد.

کمتر کاربر اینترنتی وجود دارد که هنوز گذرش به یکی از صفحاتی که با معماری Ajax ساخته شده‌اند نیفتاده و از قابلیت‌های فوق‌العاده آن بهره‌مند نشده باشد. Gmail، Google Map، Google Suggest، Orkut، Yahoo و اسامی آشنای دیگر، نمونه‌هایی هستند از کاربرد ajax برای برنامه های تحت وب خود استفاده می کنند. به برنامه نویسان عزیزی که بدنبال منبعی مناسب برای یادگیری این زبان از سطح مقدماتی هستند حتماً پیشنهاد میکنیم کتابی که آماده شده را دانلود و مطالعه بفرمایند.

این کتاب شامل فصل های زیر می باشد:

فصل اول: مقدمه ای بر Ajax

راه حل ، دیدگاه کاربران ، دیدگاه برنامه نویسان ، نگاهی کلی به مراحل استفاده از Ajax در برنامه های تحت وب و ...

فصل دوم : جاواسکریپ

تگ(Script) ، نوشتن اسکریپ در قسمت Head و Body ، فایل خارجی جاواسکریپ و ...

فصل سوم: شروع کار با Ajax

شروع با HTTP ، درخواست XmlHttp  ،معماری Ajax Asp.net  ، و ...


فصل چهارم: کار با Ajax در Asp.Net

فصل پنجم: خطایابی برنامه های Ajax

FireBug ، دیباگ سمت سرور ، استفاده از پنجره Watch

فصل ششم: برنامه chatRoom

جداول موجود در برنامه  ChatRoom ، چگونگی پیاده سازی ChatRoom ، و ...

فصل هفتم: برنامه BookStore

آموزش بهینه سازی سایت برای موتورهای جستجو به زبان فارسی

آموزش بهینه سازی سایت برای موتورهای جستجو به زبان فارسی

امروزه افراد زیادی اقدام به ایجاد وب سایت می کنند و شاید برای این کار وقت و هزینه زیادی نیز صرف کنند. اما پس از مدتی بسیاری از این افراد به این نتیجه می رسند که تمام زحماتی که برای ایجاد این سایت کشیده اند بی نتیجه بوده و از ادامه کار منصرف می شوند.

غافل از اینکه با اتخاذ یک سری سیاست های ساده جهت بهینه سازی سایت خود برای موتورهای جستجو می توانند تا حد زیادی میزان استقبال از سایت خود را بالا ببرند.

کتاب حاضر (بهینه سازی سایت برای موتورهای جستجو) به زبان فارسی نوشته آقای نیما مسقدی است و به بررسی راه کارها و روش های بهینه سازی صفحات وب برای موتورهای جستجو، جهت افزایش میزان بازدید از سایت می پردازد.

کرک نرم افزار سیلواکو Silvaco 2014 (آپدیت 1397/04/21)

کرک نرم افزار سیلواکو Silvaco 2014 (آپدیت 1396/07/28)

سیلواکو یک نرم افزار حل عددی معادلات نیمه هادی است. معادلات مربوط به افزاره های ساخته شده توسط نیمه هادی بصورت گسسته تبدیل شده و در دیتابیس این نرم افزار قرار گرفته است. بازخوانی این معادلات بوسیله کاربر صورت می پذیرد. حل معادلات بصورت عددی بوده و وابسته به شرایط اولیه، گره بندی افزاره و انتخاب روش حل است. انتخاب موارد فوق برای رسیدن به جواب و همگرایی مناسب بسیار مهم بوده و به تجربه کار با این نرم افزار نیاز دارد. اطلاعات بدست آمده توسط این نرم افزار در مقالات بسیار زیادی به کار برده شده و با نتایج بدست آمده بصورت عملی قابل مقایسه است.

هم اکنون می توانید کرک کمیاب و تست شده این نرم افزار را از سایت مهندس 360 دانلود کنید.

برای دانلود به ادامه مطلب مراجعه کنید.

شبیه سازی سلول خورشیدی دو پیوند InGaP/GaAs در سیلواکو

شبیه سازی سلول خورشیدی دو پیوند InGaP/GaAs در سیلواکو

شرکت سیلواکو (Silvaco) متعلق به بخش خصوصی، ارائه دهنده نرم‌افزار اتوماسیون طراحی الکترونیکی و نرم‌افزار شبیه‌سازی ادوات است.
سیلواکو یک نرم افزار حل عددی معادلات نیمه هادی ها مانند ماسفت ها، ترانزیستور های دو قطبی،دیودها و… می باشد. جوابهای بدست آمده توسط این نرم افزار در مقالات معتبر بسیاری بکار برده شده و می توان گفت در زمینه حل معادلات نیمه هادی ها بی رقیب است.

این نرم افزار به مهندسین این امکان را می دهد تا مراحل ساخت قطعات الکترونیکی و همچنین رفتار الکتریکی، نوری، گرمایی قطعات نیمه هادی را شبیه سازی کنند. قابلیت شبیه سازی رفتارهای مختلف پایا، دینامیک زمانی را در دو و سه بعد دارد. همچنین قابلیت شبیه سازی ساختار قطعات الکترونیکی قبل از ساخت آنها در کارخانه را نیز شامل می شود. با شبیه سازی در سطح فیزیک، رفتار الکتریکی افزاره های نیمه هادی را پیش بینی می کند. به عنوان مثال فرایندهای اکسیداسیون، نفوذ، لایه برداری، لایه نشانی و … با استفاده از این نرم افزار شبیه سازی می شود.

در این فایل، شبیه سازی یک مقاله بسیار معتبر با عنوان Highly efficient ARC less InGaP/GaAs DJ solar cell numerical modeling using optimized InAlGaP BSF layers ارائه شده است. یک فایل راهنمای ساده نیز جهت اجرای کدها ارائه شده است. همچنین جهت مقایسه نمودار ها و جداول، فایلی جهت اینکار پیوست شده که مقادیر و نمودارهای مندرج در مقاله را با مقادیر و نمودارهای شبیه سازی شده مقایسه می نماید. 


برای دانلود به ادامه مطلب مراجعه کنید.

ترجمه مقاله A novel lightly doped drain and source Carbon nanotube field effect transistor (CNTFET) with negative differential resistance

ترجمه مقاله A novel lightly doped drain and source Carbon nanotube field effect transistor (CNTFET) with negative differential resistance

A novel lightly doped drain and source Carbon nanotube field effect transistor (CNTFET) with negative differential resistance

یک ترانزیستور اثر میدانی نانو لوله کربنی (CNTFET) سورس و درین سبک آلاییده شده جدید با مقاومت دیفرانسیل منفی

In this paper, we propose and evaluate a novel design of a lightly doped drain and source carbon nanotube field effect transistor (LDDS-CNTFET) with a negative differential resistance (NDR) characteristic, called negative differential resistance LDDS-CNTFET (NDR-LDDS-CNTFET). The device was simulated by using a non equilibrium Green’s function method. To achieve this phenomenon, we have created two quantum wells in the intrinsic channel by using two n-type regions. In the wells that are separated by a thin barrier, two resonance states are generated. On the other hand, the thickness of the barrier between the source and the well is variable depending on the energy level. Accordingly, with increasing gate-source voltage, the number of tunneling electrons and consequently drain-source current are varied. Furthermore, we have presented a structure with two n-type and three p-type regions in the channel that illustrates a larger NDR region. In this structure, the peak and valley of the drain-source current are shifted when compared with the previous structure. Finally, we investigated the effect of doping concentration on the NDR parameter.

در این مقاله، طراحی جدیدی از درین و سورس به آرامی آلاییده شده ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی (LDDS-CNTFET) با مشخصه مقاومت دیفرانسیل منفی (NDR) را پیشنهاد و ارزیابی می کنیم که مقاومت دیفرانسیل منفی LDDS-CNTFET (NDR-LDDS-CNTFET) نامیده می شود. این افزاره با استفاده از متد تابع گرین غیر تعادلی شبیه سازی شده است. برای دستیابی به این پدیده، دو چاه کوانتومی را در کانال ذاتی با استفاده از دو ناحیه نوع n ایجاد نموده ایم. در چاه هایی که توسط یک سد نازک جدا شده اند، دو حالت رزونانس ایجاد می شود. از سوی دیگر، ضخامت سد بین سورس و چاه، بسته به سطح انرژی، متفاوت است. بر این اساس با افزایش ولتاژ گیت-سورس، تعداد الکترونهای تونل زنی و در نتیجه جریان درین – سورس، متغیر هستند. علاوه بر این، ساختاری با دو ناحیه نوع N و سه ناحیه نوع p را در کانال ایجاد نشان داده ایم که نشان دهنده ناحیه NDR بزرگتری است. در این ساختار، پیک (peak) و دره (valley) جریان درین-سورس، در مقایسه با ساختار قبلی، جابجا می شوند. در نهایت، اثر غلظت آلایش بر پارامتر NDR را مورد بررسی قرار داده ایم.

تعداد صفحات: 12

برای دانلود به ادامه مطلب مراجعه کنید. 

تماس با ما
سفارش پروژه