تبلیغات
مهندس 360 | وبسایت مهندسی الکترونیک و کامپیوتر
کاربر عزیز خوش آمدید!
|

ترجمه مقاله Simulation Study on the Effects of Changing Band Gap on Solar Cell Parameters

ترجمه مقاله Simulation Study on the Effects of Changing Band Gap on Solar Cell Parameters

Abstract—We perform the numerical analysis of a CIGS solar cell parameters such as open circuit voltage, short circuit current, maximum power, fill factor, and external quantum efficiency as a function of absorber layer band gap. These parameters are known to be the key parameters of a solar cell to determine its performance. We change the band gap of the CIGS absorber layer by changing its alloy composition. ATLAS SILVACO is used to construct and simulate the CIGS solar cell structure with standard AM1.5 spectra. The open circuit voltage and the maximum power increase almost linearly with the band gap. However, the change in short circuit current and the fill factor with the CIGS bandgap does not show any formal relation. We found that the change in fill factor due to the band gap change is not significant compared to the change in open circuit voltage.

چکیده – تجزیه و تحلیل عددی پارامترهای سلول خورشیدی CIGS مانند ولتاژ مدار باز ، جریان اتصال کوتاه ، حداکثر توان ، ضریب پری  و بازده کوانتومی خارجی  به عنوان تابعی از شکاف باند لایه جاذب انجام شده است. این پارامترها به عنوان پارامترهای اصلی یک سلول خورشیدی برای تعیین عملکرد آن شناخته شده اند. با تغییرات ترکیب آلیاژ، شکاف باند لایه جاذب CIGS تغییر می دهیم. ATLAS SILVACO برای ساخت و شبیه سازی ساختار سلول خورشیدی CIGS با طیف استاندارد AM1.5 استفاده شده است. ولتاژ مدار باز و ماکزیمم توان تقریباً به صورت خطی با شکاف باند افزایش می یابند. با این حال، تغییر در جریان اتصال کوتاه و ضریب پری با شکاف باند CIGS هیچ رابطه ای را نشان نمی دهد. ما دریافتیم که تغییر در ضریب پری به دلیل تغییر شکاف باند در مقایسه با تغییر ولتاژ مدار باز قابل توجه نیست. 

آموزش جامع فرآیند مقاله نویسی - از نگارش تا نشر مقاله

آموزش جامع فرآیند مقاله نویسی - از نگارش تا نشر مقاله

امروزه یکی از مهم‌ترین ابزار در نشر علم و دانش چاپ مقالات علمی است. در حقیقت از طریق مقالات علمی است که یک پژوهشگر می‌تواند یافته‌هایش را در اختیار دیگران قرار دهد. در واقع یک پژوهشگر علاوه بر پژوهش کردن باید از توانایی نوشتن هم برخوردار باشد. از سوی دیگر، در کشور عزیزمان، کمبود یک کتاب آموزشی در زمینه نگارش مقالات علمی به‌ویژه مقالۀ ISI احساس می‌شود، در نتیجه تصمیم گرفته شد تا در جهت جبران این کمبود، قدمی، هر چند ناچیز، برداشته شود. بنابراین، هدف کتاب حاضر، کمک به پژوهشگران، دانشجویان و فارغ‌التحصیلانی است که در نگارش مقاله ضعف دارند.

تمرکز کتاب حاضر، بر روی نگارش مقاله‌های ISI است، ضمن آنکه اشاره‌ای مختصر و صرفاً جهت آشنایی به انواع مقالات و مجلات نیز می‌شود. نحوۀ نگارش هر یک از قسمت‌های مقاله به‌صورت قدم به قدم و با ذکر مثال‌های متعدد دو زبانه (فارسی و انگلیسی) ارائه شده تا چارچوبی کلی برای نگارش مقاله، در اختیار خواننده قرار گیرد چرا که مقالات تخصصی حوزه‌های مختلف علمی می‌توانند از لحاظ ساختاری و محتوایی متفاوت باشند. بعد از نحوۀ نگارش، در مورد اشتباهات رایج در نگارش مقاله، فرآیندهای انتخاب مجله، ارسال مقاله، داوری و نشر به‌طور مفصل بحث شده است تا اینکه خوانندگان محترم به خوبی با این فرآیندها آشنا شده و بدانند بعد از ارسال مقاله برای مجله، چه اتفاقاتی خواهد افتاد و چه کارهایی را باید انجام دهند.

این متن، پیشگفتار کتاب «آموزش جامع فرآیند مقاله‌نویسی: از نگارش تا نشر مقاله» نوشتۀ دکتر مهدی نادری بنی می‌باشد. خواندن این کتاب فوق العاده را به شما پیشنهاد می‌کنیم.

ترجمه مقاله Integrated Optical Devices of InGaAsP-InP Heterojunction Phototransistor and InnerStripe Light-Emitting Diode

ترجمه مقاله Integrated Optical Devices of InGaAsP-InP Heterojunction Phototransistor and InnerStripe Light-Emitting Diode
Abstract-New integrated optical devices combining an InGaAsP/InP HPT and an inner-stripe LED are proposed and their fabrication processes are described. The device functions of light amplification, optical bistability, and optical switching are demonstrated in the 1-um wavelength region.

I. INTRODUCTION
MONOLITHIC integration of well-developed discrete devices such as lasers, light-emitting diodes (LED’s), phototransistors, p-i-n diodes, and avalanche photodiodes (APD’s) has been drawing much attention for better performance and higher reliability [ 11, [2]. By integration, on the other hand, new functions which cannot be expected for the discrete optoelectronic devices can be realized utilizing the optical or electrical interactions between two or more optoelectronic devices [3]-[ ll].

خلاصه - افزاراه های مجتمع نوری جدید از ترکیب InCaAsPhP HPT و inner-stripe LED معرفی شده اند و مراحل ساخت آنها نیز بیان شده است. عملکرد افزاره در حالت های تقویت کنندگی نور، دوپایداری نور، و سوییچ نوری در محدوده طول موج 1-pm بررسی شده است.
مقدمه:
مجتمع سازی یکپارچه از افزاره های مجزا و توسعه یافته مانند لیزرها، دیودهای نوری (LED)، فوتوترانزیستورها، دیودهای p-i-n، و دیودهای نوری بهمنی (APD) توجه زیادی را به خود برای عملکرد بهتر و اعتبار بالا جلب کرده اند[1],[2]. از سویی دیگر مجتمع سازی، کاربردهای جدیدی که از افزاره های مجزا انتظار نمیرفت را با بکار گیری فعل و انفعالات الکتریکی و نوری بین دو یا چند افزاره، محقق ساخته است[3]-[11].

تعداد صفحات: 12

فایل ارائه فوتو ترانزیستورهای نامتجانس InGaAsP/InP ودیودهای نوری inner-stripe + ترجمه مقالات مرتبط

فایل ارائه فوتو ترانزیستورهای نامتجانس InGaAsP/InP ودیودهای نوری inner-stripe + ترجمه مقالات مرتبط

مجتمع سازی یکپارچه از افزاره های مجزا و توسعه یافته مانند لیزرها، دیودهای نوری (LED)، فوتوترانزیستورها، دیودهای p-i-n، و دیودهای نوری بهمنی (APD) توجه زیادی را به خود جلب کرده اند. از سویی دیگر مجتمع سازی، کاربردهای جدیدی که از افزاره های مجزا انتظار نمیرفت را با بکار گیری فعل و انفعالات الکتریکی و نوری بین دو یا چند افزاره، محقق ساخته است.
شما دانشجویان گرامی می توانید علاوه بر دانلود محتوای فایل ارائه شده، کلیه متون خلاصه شده را در قالب یک گزارش در این پست دانلود نمایید. 

ترجمه مقاله A novel lightly doped drain and source Carbon nanotube field effect transistor (CNTFET) with negative differential resistance

ترجمه مقاله A novel lightly doped drain and source Carbon nanotube field effect transistor (CNTFET) with negative differential resistance

A novel lightly doped drain and source Carbon nanotube field effect transistor (CNTFET) with negative differential resistance

یک ترانزیستور اثر میدانی نانو لوله کربنی (CNTFET) سورس و درین سبک آلاییده شده جدید با مقاومت دیفرانسیل منفی

In this paper, we propose and evaluate a novel design of a lightly doped drain and source carbon nanotube field effect transistor (LDDS-CNTFET) with a negative differential resistance (NDR) characteristic, called negative differential resistance LDDS-CNTFET (NDR-LDDS-CNTFET). The device was simulated by using a non equilibrium Green’s function method. To achieve this phenomenon, we have created two quantum wells in the intrinsic channel by using two n-type regions. In the wells that are separated by a thin barrier, two resonance states are generated. On the other hand, the thickness of the barrier between the source and the well is variable depending on the energy level. Accordingly, with increasing gate-source voltage, the number of tunneling electrons and consequently drain-source current are varied. Furthermore, we have presented a structure with two n-type and three p-type regions in the channel that illustrates a larger NDR region. In this structure, the peak and valley of the drain-source current are shifted when compared with the previous structure. Finally, we investigated the effect of doping concentration on the NDR parameter.

در این مقاله، طراحی جدیدی از درین و سورس به آرامی آلاییده شده ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی (LDDS-CNTFET) با مشخصه مقاومت دیفرانسیل منفی (NDR) را پیشنهاد و ارزیابی می کنیم که مقاومت دیفرانسیل منفی LDDS-CNTFET (NDR-LDDS-CNTFET) نامیده می شود. این افزاره با استفاده از متد تابع گرین غیر تعادلی شبیه سازی شده است. برای دستیابی به این پدیده، دو چاه کوانتومی را در کانال ذاتی با استفاده از دو ناحیه نوع n ایجاد نموده ایم. در چاه هایی که توسط یک سد نازک جدا شده اند، دو حالت رزونانس ایجاد می شود. از سوی دیگر، ضخامت سد بین سورس و چاه، بسته به سطح انرژی، متفاوت است. بر این اساس با افزایش ولتاژ گیت-سورس، تعداد الکترونهای تونل زنی و در نتیجه جریان درین – سورس، متغیر هستند. علاوه بر این، ساختاری با دو ناحیه نوع N و سه ناحیه نوع p را در کانال ایجاد نشان داده ایم که نشان دهنده ناحیه NDR بزرگتری است. در این ساختار، پیک (peak) و دره (valley) جریان درین-سورس، در مقایسه با ساختار قبلی، جابجا می شوند. در نهایت، اثر غلظت آلایش بر پارامتر NDR را مورد بررسی قرار داده ایم.

تعداد صفحات: 12

برای دانلود به ادامه مطلب مراجعه کنید. 

تماس با ما
سفارش پروژه