جزوه نانو الکترونیک - دکتر صدیق ضیابری (جزوه اول)
nano electronic
فناوری نانو یا نانو تکنولوژی رشتهای از دانش کاربردی و فناوری است که شاخه های گستردهای را پوشش میدهد. موضوع اصلی آن نیز مهار ماده یا دستگاههای در ابعاد کمتر از یک میکرومتر، معمولاً حدود ۱ تا ۱۰۰ نانو متر است. در واقع نانو تکنولوژی فهم و به کارگیری خواص جدیدی از مواد و سیستمهایی در این ابعاد است که اثرات فیزیکی جدیدی عمدتا متاثر از غلبه خواص کوانتومی بر خواص کلاسیک از خود نشان میدهند.
نانوفناوری یک دانش به شدت میانرشتهای است و به رشتههایی چون پزشکی، دامپزشکی، زیست شناسی، فیزیک کاربردی، مهندسی مواد، ابزارهای نیم رسانا، شیمی ابرمولکول و حتی مهندسی مکانیک، مهندسی برق و مهندسی شیمی نیز مربوط میشود. نانو تکنولوژی میتواند به عنوان ادامهٔ دانش کنونی به ابعاد نانو یا طرحریزی دانش کنونی بر پایههایی جدیدتر و امروزیتر باشد. میتوان موردهای زیر را شاخههای بنیادین دانش نانوفناوری دانست:
- نانو روکش ها
- نانو مواد
- نانو پودرها
- نانو لوله ها (نانو تیوبها)
- نانو کامپوزیتها
- مهندسی مولکولی
- موتورهای مولکولی(نانو ماشینها)
- نانو الکترونیک
- نانو سیمها
- DNA نانوسیم ها
- نانو حسگرها
- نانو ترانزیستورها
این جزوه شامل بخش های زیر می باشد:
- مروری بر مکانیک کوانتومی
- رابطه انرژی و طول موج
- خاصیت دوگانگی موج - ذره الکترون در فضای آزاد
- خاصیت موج - ذره
- ابزار های اندازه گیری در کوانتوم
- معادله شرودینگر
- معادله شرودینگر مستقل از زمان
- معادله شرودینگر وابسته به زمان
- اندازه حرکت الکترون
- تابع موج
- چاه بی نهایت
- حل معادله شرودینگر به روش تفاضل متناهی
- بدست آوردن جریان از تابع موج
- چاه محدود
- بررسی رفتار الکترون
- بررسی رفتار الکترون وقتی مقید نیست
- تونل زنی
- دیود تونلی
- بررسی ساختار بالک (BULK)، چاه کوانتومی (Quantum Well)، سیم (Wire) و نقطه (Dot)
- نانو لوله کربنی و نانوسیم نیمه هادی
- مهندسی کرنش (Strain Engineering)
- ادوات نانو الکترونیک
- انواع ترانزیستور های اثرمیدانی نانوسیم نیمه هادی
- ترانزیستورهای اثر میدان نانوسیم نیمه هادی ناهمگون (هسته - پوشش)
- ساختار نوار انرژی نانوسیم
- نانوسیم سیلیکونی Si-NW
- ترانزیستور اثرمیدانی نانولوله کربنی
- شبیه سازی
- شبیه سازی ترانزیستور اثر میدانی نانوسیم نیمه هادی (نانولوله کربنی) بر اساس مدل بالستیک
- مدل CNTFET
- فلوچارت روش Self Consistent
- بدست آوردن شیب زیر آستانه، SS، منحنی جریان ولتاژ، منحنی Ion/Ioff، نسبت SSبه d و...
- بررسی مدلسازی اثر دمای محیط بر NWFET
- بررسی کوتاهی از مقاله Investigation of the cutoff frequency of double linear halo lightly doped drain and source CNTFET
ویژگی | اندازه |
---|---|
تعداد صفحات | 125 |
دیگران را با نوشتن نظرات خود، برای انتخاب این محصول راهنمایی کنید.
لطفا پیش از ارسال نظر، قوانین زیر را مطالعه کنید:- فارسی بنویسید و از کیبورد فارسی استفاده کنید. بهتر است از فضای خالی (Space) بیشازحدِ معمول، شکلک یا ایموجی استفاده نکنید و از کشیدن حروف یا کلمات با صفحهکلید بپرهیزید.
- نظرات خود را براساس تجربه و استفادهی عملی و با دقت به نکات فنی ارسال کنید؛ بدون تعصب به محصول خاص، مزایا و معایب را بازگو کنید و بهتر است از ارسال نظرات چندکلمهای خودداری کنید.
- بهتر است در نظرات خود از تمرکز روی عناصر متغیر مثل قیمت، پرهیز کنید.
- به کاربران و سایر اشخاص احترام بگذارید. پیامهایی که شامل محتوای توهینآمیز و کلمات نامناسب باشند، حذف میشوند.
- از ارسال لینکهای سایتهای دیگر و ارایهی اطلاعات شخصی خودتان مثل شماره تماس، ایمیل و آیدی شبکههای اجتماعی پرهیز کنید.